- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄55781 > 2N5550-AMMO (NXP SEMICONDUCTORS) 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5550-AMMO |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2N5550-AMMO |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551DCSM | 600 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
| 2N5551 | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5566 | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71 |
| 2N5583 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5621.MOD | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5550BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR BJT NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V, Transition Frequency ft:300MHz, Power Dissipation Pd:625mW, DC Collector Current:600mA, DC Current Gain hFE:60, Operating , RoHS Compliant: Yes |
| 2N5550RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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