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參數資料
型號: 2N5550APMLEADFREE
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 72K
代理商: 2N5550APMLEADFREE
相關PDF資料
PDF描述
2N5367TRE 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5400APP 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5088APP 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401APM 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401TRE 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5550BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR BJT NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V, Transition Frequency ft:300MHz, Power Dissipation Pd:625mW, DC Collector Current:600mA, DC Current Gain hFE:60, Operating , RoHS Compliant: Yes
2N5550RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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