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參數資料
| 型號： | 2N5550M1TC |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N5550M1TC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5400STOB | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5550Q | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401L | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5550STOA | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401STOB | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5550RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550S | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
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