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參數資料
| 型號： | 2N5551/D27Z-J35Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2N5551/D27Z-J35Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551/D75Z-J05Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5551/D75Z-J35Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5551/D27Z-J60Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5551/D26Z-J61Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5551/D74Z-J18Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5551DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
| 2N5551G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 160V TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92 |
| 2N5551HR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORNPN600MA VCEO=160VOLTSTO-39 SOLDER DI - Bulk |
| 2N5551IUTA | 功能描述:功率放大器 TO-92 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝: |
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