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參數資料
| 型號： | 2N5551 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2N5551 |
DA11105 Rev. G-3
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2N5551
2N5551
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Features
High Collector to Emitter Voltage
Epitaxial Planar Die Construction
Compliments PNP Type 2N5401
General Purpose High-Voltage Amplifier
Gas Discharge Display Amplifier
Characteristics
Symbol
2N5551
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
160
V
Collector-Base Voltage
VCBO
180
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current - Continuous
IC
200
mA
Power Dissipation
(Note 1)
Pd
625
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
RqJA
200
K/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
K/W
Storage & Operating Temperature Range
Tj, TSTG
-55 to +150
°C
Case: TO-92, Plastic
Leads: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: Type Number
Weight: 0.18 grams (approx.)
Mechanical Data
D
CB E
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
TO-92
Dim
Min
Max
A
4.32
4.83
B
4.32
4.78
C
12.50
15.62
D
0.36
0.56
E
3.15
3.94
G
2.29
2.79
H
1.14
1.40
All Dimensions in mm
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
300s, duty cycle 2%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5555APMLEADFREE | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5555RLRM | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5551 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551,412 | 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 300MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2N5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
| 2N5551_10 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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