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參數(shù)資料
型號: 2N5551
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 37K
代理商: 2N5551
相關PDF資料
PDF描述
2N5550 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5771 Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5781XLR1 3500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AA
2N5782 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
2N5784SMD05 3500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N5551 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551,412 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 300MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
2N5551_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
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