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參數資料
| 型號： | 2N5551L-X-T92-K |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓開關晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2N5551L-X-T92-K |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2N5551
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-002.B
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
FEAT URES
* High collector-emitter voltage:
V
CEO
=160V
* High current gain
APPLICAT IONS
*
Telephone switching circuit
* Amplifier
TO-92
1
1
SOT-89
*Pb-free plating product number: 2N5551L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
B
E
B
Normal
Lead Free Plating
2N5551L-x-AB3-R
2N5551L-x-T92-B
2N5551L-x-T92-K
Package
3
E
C
C
Packing
2N5551-x-AB3-R
2N5551-x-T92-B
2N5551-x-T92-K
SOT-89
TO-92
TO-92
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2N5551L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) T92: TO-92, AB3: SOT-89
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
(3)Rank
(3) x: refer to Classification of h
FE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551-A-AB3-K | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-A-AB3-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-A-T92-B | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-A-T92-K | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-A-T92-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5551N | 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:NPN Silicon Transistor |
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| 2N5551RL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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