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參數資料
| 型號： | 2N5628 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CAN-2 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N5628 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6354 | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1904 | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6589 | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6514 | 7 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6470 | 15 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5629 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5630 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 NPN 120V 16A 200W BEC |
| 2N5631 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5631/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors |
| 2N5631G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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