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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5654R-STYLE-D |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2N5654R-STYLE-D |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N5655 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5655/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
| 2N5655_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
| 2N5655G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5656 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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