型號: | 2N5678 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五(巴西)總裁|甲一(c)|至210AE |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 224K |
代理商: | 2N5678 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5630 | Bipolar NPN Device |
2N5408 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N3171 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
2N3172 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N3173 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2N5679 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5679_02 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
2N5679JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
2N5680 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5680 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |