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參數資料
型號: 2N5683
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN POWER SILICON TRANSISTOR
中文描述: 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 185K
代理商: 2N5683
A
相關PDF資料
PDF描述
2N5684 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5684 POWER TRANSISTORS(50A,300W)
2N5685 POWER TRANSISTORS(50A,300W)
2N5686 POWER TRANSISTORS(50A,300W)
2N5745 POWER TRANSISTORS(200W)
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5684 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5684/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Current Complementary Silicon Power Transistors
2N5684_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High−Current Complementary Silicon Power Transistors
2N5684G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5684G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
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