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參數資料
| 型號： | 2N5758 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2N5758 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N6189 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5289 | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N5327 | Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5623 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5759 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 6A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N575A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 25A I(C) | STR-1/4 |
| 2N5760 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 6A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N5764 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER BJT |
| 2N5769 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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