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參數資料
| 型號： | 2N5770 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2N5770 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5770 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
| 2N5781 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| 2N5781 | PHILLIPS SCREW; THREAD SIZE: #3-56; LENGTH (INCHES): 1/4"; MATERIAL: STAINLESS STEEL; *100 PIECES PER PACKAGE* |
| 2N5783 | COMPLEMENTATY SILICON POWER TRANSIS0R |
| 2N5784 | PHILLIPS SCREW; THREAD SIZE: #4-40; LENGTH (INCHES): 3/8"; MATERIAL: STAINLESS STEEL; *100 PIECES PER PACKAGE* |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5770 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF TRANSISTOR NPN 3-TO-92 ((SP)) |
| 2N5770_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| 2N5770_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5770_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5770_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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