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參數資料
| 型號： | 2N5785 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 772K |
| 代理商： | 2N5785 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5786 | 3500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N5782L | 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AA |
| 2N5782LE1 | 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AA |
| 2N5782L.MOD | 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AA |
| 2N5782 | 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5785SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
| 2N5785SMD05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | SMT |
| 2N5786 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5786_02 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
| 2N579 | 制造商:RCA 功能描述: |
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