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參數(shù)資料
型號(hào): 2N5818
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: 互補(bǔ)性的芯片自動(dòng)對(duì)焦中功率晶體管
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 162K
代理商: 2N5818
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N5819 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N582 制造商:n/a 功能描述:MIL-SPEC S6J1B
2N5820 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2N5821 制造商:undefined 功能描述:
2N5822 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
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