型號(hào): | 2N5826 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 110K |
代理商: | 2N5826 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA564 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
2N4966 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-106 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N5827 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON TRANSISTOR |
2N5828 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
2N5829 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72 |
2N5830 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5830_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |