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參數資料
型號: 2N5829
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72
封裝: METAL PACKAGE-4
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 28K
代理商: 2N5829
相關PDF資料
PDF描述
2N5829 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72
2N5832-BP 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5849 7 A, 24 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5865.MOD 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
2N5868 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5830 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5830_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N5830_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5830_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5831 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS
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