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參數資料
| 型號： | 2N5830 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2N5830 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1069 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N1131 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1132 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1131 | 600 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N699 | 200 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5830_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N5830_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5830_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5831 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
| 2N5832 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
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