- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366223 > 2N5876 (MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP) POWER TRANSISTORS(10A,150W) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5876 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2N5876 |
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5877 | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
| 2N5878 | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
| 2N5879 | POWER TRANSISTORS(15A,160W) |
| 2N5879 | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
| 2N5880 | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5877 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N5878 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5879 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N588 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-30 |
| 2N5880 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。