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參數資料
型號: 2N5877
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 10000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-3
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 97K
代理商: 2N5877
相關PDF資料
PDF描述
2N5877 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5879 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5881 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6254 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5882 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5878 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5879 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N588 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-30
2N5880 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5881 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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