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參數資料
| 型號： | 2N5884 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2N5884 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5885 | 25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5886 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5936R1 | 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5950/D81Z | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N3819/D10Z | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5884G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5886 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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