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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5886 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon High Power Transistors(互補(bǔ)硅高功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補(bǔ)硅大功率晶體管（互補(bǔ)硅高功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2N5886 |
2N5884
2N5886
COMPLEMENTARY SILICON
HIGH POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
APPLICATIONS
I
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The 2N5884 and 2N5886 are complementary
silicon power transistor in Jedec TO-3 metal case
inteded for use in power linear amplifiers and
switching applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
1
2
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
2N5884
2N5886
80
80
5
25
50
7.5
200
-65 to 200
200
Unit
PNP
NPN
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5886G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5887 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5888 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5889 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5890 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
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