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參數資料
型號: 2N5947
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | STX-8
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 400mA的一(c)|希捷- 8
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代理商: 2N5947
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PDF描述
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2N5950_J18Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5950_J35Z 功能描述:JFET 30V N-CH JFET RDS ON RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5950_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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