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參數資料
| 型號： | 2N5959 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-61, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2N5959 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1114ZK-T2 | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2156 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F |
| 2SC2812 | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1450-S | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1188ERF | 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N596 | 制造商:AMRMSC 功能描述: |
| 2N5960 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 20A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5961 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Lvl SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5961_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5961_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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