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參數資料
| 型號： | 2N6027 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 單結晶體管 |
| 英文描述： | Programmable Unijunction Transistor |
| 中文描述： | PROGRAMMABLE UJT, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 029, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | 2N6027 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6028 | Programmable Unijunction Transistor |
| 2N4948 | PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON PN UNIJUNCTION TRANSISTORS |
| 2N4949 | PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON PN UNIJUNCTION TRANSISTORS |
| 2N2432 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
| 2N2453 | Dual Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6027/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Programmable Unijunction Transistor |
| 2N6027_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Programmable Unijunction Transistor |
| 2N6027G | 功能描述:SCR 40V 300mW PUT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6027G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:UNIJUNCTION TRANSISTOR |
| 2N6027RL1 | 功能描述:SCR 40V 300mW PUT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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