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參數資料
| 型號： | 2N6030LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2N6030LEADFREE |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6031 | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6032 | 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6033R1 | 40 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6037 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6037 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6031 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6031G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6032 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6033 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6034 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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