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參數資料
| 型號： | 2N6032 |
| 英文描述： | HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 大電流高速，高功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | 2N6032 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6032 | HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
| 2N6032 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N6034 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(4A，40W，40V（集電極-發射極），塑料，補償型硅PNP功率晶體管) |
| 2N6042 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發射極），塑料，補償型硅PNP中等功率晶體管) |
| 2N6045 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor(8A，75W，100V（集電極-發射極），塑料，補償型硅NPN中等功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6033 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6034 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6034G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6034SGS | 制造商:SGS 功能描述:2N6034 |
| 2N6035 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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