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參數資料
| 型號： | 2N6033 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 40 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 12K |
| 代理商： | 2N6033 |
2N6033
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 120V
I
C
= 40A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications.
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
120
V
I
C(CONT)
40
A
h
FE
@ 2.6/40 (V
CE
/ I
C
)
10
50
-
f
t
50M
Hz
P
D
140
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
31-Jul-02
TO3 (TO204AA)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
3
(case)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
0
1
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
2
(
m
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6034 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
| 2N6035 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
| 2N6037 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
| 2N6038 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
| 2N6039 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6034 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6034G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6034SGS | 制造商:SGS 功能描述:2N6034 |
| 2N6035 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6035/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Darlington Silicon Power Transistors |
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