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參數資料
| 型號： | 2N6036 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互補性的芯片功率達林頓晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2N6036 |
2N6036
2N6039
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
I
2N6036 IS A SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPE
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS
I
GENERALPURPOSE SWITCHING
I
GENERALPURPOSE AMPLIFIER
DESCRIPTION
The 2N6036 and 2N6039 are complementary
silicon power Darlington transistors mounted in
Jedec SOT-32 plastic package.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
2N6036
2N6039
80
80
5
4
8
0.1
40
-65 to 150
150
Unit
PNP
NPN
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
R
1
Typ. = 7 K
R
2
Typ. =230
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6036 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6050 | Silicon PNP Power Darlington Transistor(硅PNP功率達林頓晶體管) |
| 2N6050 | POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
| 2N6059 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2N6050 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6036_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6036_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors |
| 2N6036G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6037 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6037ECB | 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6037 |
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