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參數資料
| 型號： | 2N6039LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2N6039LEADFREE |
Power Transistors
TO-126 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(mA)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
2N4921
2N4918
1.0
30
40
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4922
2N4919
1.0
30
60
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4923
2N4920
1.0
30
80
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N5190
2N5193
4.0
40
25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5191
2N5194
4.0
40
60
25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5192
2N5195
4.0
40
80
20
80
1,500
0.6
1.5
2.0
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0.5
20
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250
30
250
100
1.0
0.1
10
2N5656
0.5
20
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300
30
250
100
1.0
0.1
10
2N5657
0.5
20
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350
30
250
100
1.0
0.1
10
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40
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2,000
2.0
25
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40
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15,000
2,000
2.0
25
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2N6036
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40
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750
15,000
2,000
2.0
25
BD135
BD136
1.5
12.5
45
63
250
150
0.5
- -
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BD138
1.5
12.5
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63
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150
0.5
- -
BD139
BD140
1.5
12.5
100
80
63
250
150
0.5
- -
BD175
BD176
3.0
30
45
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD177
BD178
3.0
30
60
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD179
BD180
3.0
30
80
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD233
BD234
2.0
25
45
40
- -
150
0.6
1.0
3.0
BD235
BD236
2.0
25
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40
- -
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1.0
3.0
BD237
BD238
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- -
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1.0
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- -
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2.0
3.0
BD435
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- -
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0.5
2.0
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BD438
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45
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- -
10
0.6
2.0
3.0
BD439
BD440
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20
- -
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2.0
3.0
BD441
BD442
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80
15
- -
10
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2.0
3.0
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BD676
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- -
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2.5
1.5
1.0
BD675A
BD676A
4.0
40
45
750
- -
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2.0
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BD678
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- -
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1.5
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BD677A
BD678A
4.0
40
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750
- -
2.0
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2.0
1.0
BD679
BD680
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- -
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1.5
1.0
BD679A
BD680A
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- -
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2.0
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BD682
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2.5
1.5
1.0
BF469
BF470
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250
50
- -
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0.03
60
BF471
BF472
0.05
1.25
300
50
- -
0.025
0.6
0.03
60
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(6-December 2004)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5190 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5195 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6040 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6040/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
| 2N6040_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors |
| 2N6040_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
| 2N6040G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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