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參數資料
| 型號： | 2N6043 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | 2N6043 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6044 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N6045 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N6040 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 2N6041 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 2N6043 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6043G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6044 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Pwr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6045 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6045G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6046 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
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