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參數資料
| 型號： | 2N6047 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2N6047 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3847 | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6048 | 20 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6282-JQR-A | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6282-JQR-B | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6282-JQR-AR1 | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6048 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N6049 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 55V 4A 3PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6049E | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
| 2N6050 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6050_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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