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參數資料
| 型號： | 2N6052 |
| 廠商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2N6052 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6054 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6054 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6055 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6384 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6055 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6052 (JANTX SCREENED) | 制造商:NJS 功能描述: |
| 2N6052 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 |
| 2N6052/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6052_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6052G | 功能描述:達林頓晶體管 12A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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