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參數資料
型號: 2N6054
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(8A,100W)
中文描述: 功率晶體管(8A條,100瓦)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 172K
代理商: 2N6054
A
相關PDF資料
PDF描述
2N6055 POWER TRANSISTORS(8A,100W)
2N6056 POWER TRANSISTORS(8A,100W)
2N60 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
2N60L-TA3-R 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
2N60L-TA3-T 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6055 功能描述:達林頓晶體管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6055_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2N6056 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
2N6056/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Darlington Silicon Power Transistor
2N6057 功能描述:達林頓晶體管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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