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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6070A |
| 英文描述： | TRIAC|100V V(DRM)|2A I(T)RMS|TO-126 |
| 中文描述： | 可控硅| 100V的五（DRM）的|甲口（T）的有效值|至126 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N6070A |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N6071/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sensitive Gate Triacs |
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| 2N6071A_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| 2N6071AG | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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