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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6091 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 硅晶體管放大器雙DIFFERNTIAL |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2N6091 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6092 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 2N6093 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| 2N6097 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-123VAR |
| 2N6098 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON NPN POWER TRANSISTORS |
| 2N6099 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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