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參數資料
| 型號： | 2N6109-6206 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 483K |
| 代理商： | 2N6109-6206 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6107-6201 | 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
| 2N6475-6206 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
| 2N6474-DR6204 | 4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
| 2N6474-6203 | 4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6474-DR6269 | 4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6109G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6110 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N6111 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6111G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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