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參數資料
| 型號： | 2N6109 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（第7A，功率40W） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2N6109 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N6109 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
| 2N610926 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N6109G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6110 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N6111 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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