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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6110 |
| 廠商： | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 中文描述： | 外延基，硅NPN和PNP VERSAWATT三極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2N6110 |
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N6289 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
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| 2N6473 | COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSITORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N6111 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6111G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6114 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:COMPLEMENTARY UNIJUNCTION TRANSISTOR |
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