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參數(shù)資料
型號: 2N6111-DR6259
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 483K
代理商: 2N6111-DR6259
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N6111G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6114 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:COMPLEMENTARY UNIJUNCTION TRANSISTOR
2N6115 制造商:MOTOROLA 功能描述:TRANSISTOR
2N6116 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
2N6117 制造商:MOT 功能描述:DIODE
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