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參數資料
型號: 2N6122
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述: 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大?。?/td> 190K
代理商: 2N6122
A
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PDF描述
2N6123 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6124 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6125 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6126 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6122 COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6123 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6123 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-220
2N612340 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6124 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6125 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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