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參數資料
| 型號： | 2N6123 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2N6123 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6122 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2N6121 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2N6126 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2N6127 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N6177 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6123 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-220 |
| 2N612340 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N6124 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6125 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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