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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6124 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互補性的芯片塑料功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2N6124 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6125 | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| 2N6126 | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| 2N6191 | Chip Type 2C6193 Geometry 9700 Polarity PNP |
| 2N6190 | Small Signal Transistors |
| 2N6191 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6125 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6127 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N6128 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N6129 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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