型號: | 2N6187 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 10A條一(c)|至210AA |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 212K |
代理商: | 2N6187 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N6189 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
2N6495 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-66 |
SMCPO55 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
SPD1404 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
2N5294 | NPN SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2N6188 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-59 - Bulk |
2N6189 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-59 - Bulk |
2N6190 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6191 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 5A 3PIN TO-5 - Bulk |
2N6192 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 5A 3PIN TO-5 - Bulk |