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參數資料
| 型號： | 2N6285 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2N6285 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6282 | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6287 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6287 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6295 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6296.MOD | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6286 | 功能描述:達林頓晶體管 20A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6286G | 功能描述:達林頓晶體管 20A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6286JAN/TEST/BAE | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON PNP 80V 20A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6287 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington Sw RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6287G | 功能描述:達林頓晶體管 20A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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