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參數資料
| 型號： | 2N6287 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | UNCASED CHIP |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | 2N6287 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6283 | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N6283 | POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
| 2N6284 | POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
| 2N6285 | POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
| 2N6286 | POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6287G | 功能描述:達林頓晶體管 20A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6287JANTX | 制造商:Aeroflex 功能描述: |
| 2N6288 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6288 LEDFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6288G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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