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參數資料
型號: 2N6287
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: POWER TRANSISTORS TO-3 CASE
中文描述: 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 51K
代理商: 2N6287
Power Transistors
TO-3 Case (Continued)
83
www.centralsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ ICVCE(SAT)
@ IC
fT
*TYP
*TYP
(MHz)
MIN
(A)
MAX
(W)
(V)
MIN
(V)
MIN
(A)
(V)
MAX
(A)
NPN
PNP
MIN
MAX
2N6248
10
125
110
100
20
100
5.0
3.5
10
4.0
2N6249
10
175
300
200
10
50
10
1.5
10
2.5
2N6250
10
175
375
275
8.0
50
10
1.5
10
2.5
2N6251
10
175
450
350
6.0
50
10
1.5
10
2.5
2N6253
15
115
55
45
20
70
3.0
4.0
15
4.0
2N6254
15
150
100
80
20
70
5.0
4.0
15
- -
2N6282
2N6285
20
160
60
60
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10
3.0
20
4.0
2N6283
2N6286
20
160
80
80
750
18,000
10
3.0
20
4.0
2N6284
2N6287
20
160
100
100
750
18,000
10
3.0
20
4.0
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125
500
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15
75
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5.0
8.0
5.0
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8.0
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15
75
8.0
5.0
8.0
5.0
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8.0
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12
60
8.0
5.0
8.0
5.0
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15
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15
60
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40
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10
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60
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10
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10
100
80
80
1,000
20,000 5.0
3.0
10
6.0
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15
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50
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20
150
5.0
3.5
15
4.0
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15
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20
150
5.0
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1.0
3.0
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1.0
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8.0
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400
7.0
35
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1.5
5.0
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5.0
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90
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300
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8.0
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350
10
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- -
2.0
8.0
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2N6673
8.0
150
450
400
10
40
- -
2.0
8.0
15
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PDF描述
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2N6287JANTX 制造商:Aeroflex 功能描述:
2N6288 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6288 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6288G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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