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參數資料
| 型號： | 2N6330 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N6330 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5958 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N5969 | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6029 | 16 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6381 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N5960 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6331 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 30A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR, PNP, TO-3 |
| 2N6331 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 |
| 2N6338 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6338/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistors |
| 2N6338G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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