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參數資料
| 型號： | 2N6423 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(35W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（35W的） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 2N6423 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N6436 | POWER TRANSISTORS(25A,200W) |
| 2N6436 | HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6424 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 225V 1A 2PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6425 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 300V 1A 2PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6425A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:PNP |
| 2N6426 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6426/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Darlington Transistors NPN |
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