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參數資料
| 型號： | 2N6426RL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2N6426RL1 |
Darlington Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = 10 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ICES
—
1.0
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB= 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB= 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
February, 2001 – Rev.1
92
Publication Order Number:
2N6426/D
2N6426
2N6427
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
*
1
2
3
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6426RLRM | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC3569 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3569-L | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3569-K | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5486ZL1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6426RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6426RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6427_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor |
| 2N6427_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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